Industrija tal-Manifattura tal-Karbur tas-Silikon

Meta mqabbel ma 'ibbażat fuq is-silikonmaterjali semikondutturi, il-materjali semikondutturi tat-tielet ġenerazzjoni rappreżentati minn karbur tas-silikon (SiC) għandhom ħafna vantaġġi bħal kamp elettriku ta 'tqassim għoli, veloċità għolja ta' drift ta 'elettroni saturati, u konduttività termali għolja.

L-apparati tal-qawwa tal-karbur tas-silikon jintużaw prinċipalment f'oqsma ta 'qawwa għolja, bħal vetturi tal-enerġija ġodda, ħażna ta' enerġija fotovoltajka, transitu ferrovjarju u oqsma oħra, speċjalment fil-qasam tal-vetturi. Fil-ftit snin li ġejjin, applikazzjonijiet bħal inverters prinċipali abbord u moduli tal-iċċarġjar se jkomplu jikbru b'veloċità għolja.

Fil-preżent, l-intrapriżi domestiċi aċċelleraw id-dħul tagħhom fil-katina tal-industrija tal-karbur tas-silikon, u n-nefqa kapitali aċċellerat, u ġabet tkabbir mgħaġġel tar-rabtiet kollha tal-katina tal-industrija.

Skont ir-rapport ta 'Yole, id-daqs tas-suq tal-apparat tal-enerġija tal-karbur tas-silikon se jaqbeż $6 biljun fl-2027, b'rata ta' tkabbir annwali kompost ta 'aktar minn 30%.

Il-qawwa bbażata fuq il-karbur tas-silikonkatina tal-industrija tal-apparat tinkludi prinċipalment preparazzjoni tas-sottostrat tal-karbur tas-silikon upstream, tkabbir tas-saff epitassjali, manifattura tal-apparat tan-nofs u swieq ta 'applikazzjoni downstream.

Il-proċess tal-preparazzjoni tas-sottostrat huwa prinċipalment biex jissintetizza trab tal-karbonju ta 'purità għolja u trab tas-silikon ta' purità għolja fi trab tal-karbur tas-silikon. Taħt il-qasam tat-temperatura speċjali, il-metodu tat-trasferiment tal-fwar fiżiku (metodu PVT) jintuża prinċipalment biex jikber ingott tal-kristall tal-karbur tas-silikon ta 'daqsijiet differenti, u s-sottostrat tal-karbur tas-silikon huwa prodott wara proċessi multipli.

Ir-rabta epitassjali hija prinċipalment fuq is-sottostrat tal-karbur tas-silikon, u l-folja epitassjali hija ffurmata fuq il-wiċċ tas-sottostrat permezz tal-metodu ta 'depożizzjoni tal-fwar kimiku (CVD).

Fost dawn, folja epitassjali tal-karbur tas-silikon hija ppreparata billi jikber saff epitassjali tal-karbur tas-silikon fuq sottostrat konduttiv tal-karbur tas-silikon, li jista 'jsir aktar f'apparati tal-enerġija u applikat f'vetturi tal-enerġija ġodda, fotovoltajċi, transitu ferrovjarju, grid intelliġenti, aerospazjali u oqsma oħra. Il-folja epitassjali tan-nitrur tal-gallju bbażata fuq is-Silikon (GaN-on-SiC) hija ppreparata billi jikber saff epitassjali tan-nitrur tal-gallju fuq substrat tal-karbur tas-silikon semi-iżolat, li jista 'jiġi ppreparat aktar f'apparat RF microwave u applikat f'oqsma ta' komunikazzjoni 5G.

Mill-istruttura tal-ispiża tal-manifattura tal-apparati tal-karbur tas-silikon, l-ispiża tas-sottostrat hija l-akbar, li tammonta għal 47%; It-tieni hija l-ispiża estiża, li tammonta għal 23%. Dawn iż-żewġ proċessi huma komponenti importanti tal-apparat tas-SiC.

It-tags Popolari: industrija tal-manifattura tal-karbur tas-silikon, iċ-Ċina manifatturi tal-industrija tal-manifattura tal-karbur tas-silikon, fornituri